在拉伸后，商鞅给出了180°预扭试样最外层区域的原子尺度细节，并检查了位错和预先存在变形孪晶之间的相互作用。

此文中，真正作者提供了对集中于一维(1D)纳米结构，真正包括横向尺寸在1到100纳米之间的线、棒、带和管的研究工作的综述，并关注于使用化学方法相对大规模合成的1D纳米结构。石墨烯无疑是21世纪材料中最闪耀的那颗星，邪剑石墨烯的研究热度也催生了对一系列其他二维材料的研究和应用，邪剑可以说21世纪的前二十年是二维材料称雄的二十年，而应对能源危机也同样是材料人们关注与奋斗的方向。

本文还简要地讨论了许多潜在的方法，商鞅这些方法可用于将1D纳米结构组装到基于交叉开关连接以及复杂结构（例如2D和3D周期性晶格）的功能设备中。真正 ii) 由各种模板限制和控制的各向异性生长。截至2021年2月17日，邪剑该文累计被引9,140次。

商鞅Electronicsandoptoelectronicsoftwo-dimensionaltransitionmetaldichalcogenides.Nat. Nanotech. 7,699–712 (2012).https://doi.org/10.1038/nnano.2012.193.6.Superiorthermalconductivityofsingle-layergraphene该文2008年由美国加州大学河滨分校AlexanderA.Balandin教授等人发表于NanoLetters。设计石墨烯带隙会增加制造复杂性，真正或者将迁移率降低到应变硅膜的水平，或者需要高电压。

金属有机框架材料结构百变，邪剑在诸多领域都大有可为。

商鞅One-dimensionalnanostructures:Synthesis,characterization,andapplications.Adv.Mater. 15,5,353–389 (2003).https://doi.org/10.1002/adma.200390087.8.Processableaqueousdispersionsofgraphenenanosheets该文在2008年由澳大利亚卧龙岗大学GordonG.Wallace教授和Dan Li教授等人发表于NatureNanotechnology。石墨烯被誉为新材料之王，真正推动了新型电子器件的诞生和二维材料的蓬勃发展。

二维材料在下一代纳米电子器件中的应用很有吸引力，邪剑因为与一维材料相比，用它来制造复杂的结构相对容易。此文中，商鞅作者使用氧化铪栅极电介质获得了超过200cm2·V-1·s-1的室温单层MoS2迁移率，商鞅接近石墨烯纳米带，并展示了电流开/关比为1×108，待机功耗极低的室温晶体管。

更一般来说，真正石墨烯在概念上代表了仅有一个原子层厚的一类新材料，真正在此基础上，石墨烯为低维物理学这个从未间断并将持续为应用提供沃土的领域提供了新的突破。目前，邪剑Hummers法(KMnO4,NaNO3, H2SO4)是用于制备氧化石墨烯的最常用方法。